MOS管在使用过程中的建议

发布日期：2019-07-20 浏览：1263

我们在使用MOS管的过程中容易因为击穿和静电产生不良，下面是合芯半导体对客户的一些建议。
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大工作电流，实际使用时的最大工作电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。我们建议客户使用60%以内电流防止发热损坏器件，比如，标注是10A客户在6A内使用。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（比如10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的尽量提高开启电压，这样才能充分开启导通MOS管，这个时候内阻小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

上一篇： MOS管失效六大原因分析下一篇：从零开始，合芯半导体带你认识电源内部的元器件（一）