MOS管参数介绍

了解MOS管的参数！

我们在选择和使用MOS管时先要了解管子的参数，具体参数合芯半导体在规格书上都有标注。

最大额定参数 

MOS管的最大额定参数，一切数值取得条件(Ta=25℃)

VDSS 最大漏-源电压 

在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发作雪崩击穿前所能施加的最大电压。依据温度的不同，雪崩击穿电压或许低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

VGS 最大栅源电压 

VGS额定电压是栅源极间能够施加的最大电压。设定该额定电压的主要意图是防止电压过高导致的栅极氧化层损伤。栅氧化层可接受的电压远高于额定电压，可是会随制造工艺的不同而改变，因而坚持VGS在额定电压以内能够确保使用的可靠性。

ID - 持续漏电流 

ID指为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或许更高温度下，可答应的最大接连直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：

ID中并不包含开关损耗，而且实践使用时坚持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因而，硬开关使用中实践开关电流一般小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，一般在1/3～1/4。补充，假如采用热阻JA的话能够估算出特定温度下的ID，这个值更有实际含义。

IDM - 脉冲漏极电流 

该参数反映了器件能够处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于接连的直流电流。界说IDM的意图在于：线的欧姆区。关于必定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。关于给定的一个栅-源电压，假如作业点坐落线性区域内，漏极电流的增大会进步漏-源电压，由此增大导通损耗。长期作业在大功率之下，将导致器件失效。因而，在典型栅极驱动电压下，需求将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。

因而需求设定电流密度上限，防止芯片温度过高而焚毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，由于在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

考虑到热效应关于IDM的约束，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时刻间隔，散热情况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和起伏。单纯满意脉冲电流不超出IDM上限并不能确保结温不超越最大答应值。能够参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的评论，来估计脉冲电流下结温的情况。

PD - 容许沟道总功耗 

容许沟道总功耗标定了器件能够散失的最大功耗，能够表明为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。

TJ, TSTG - 作业温度和存储环境温度的规模 

这两个参数标定了器件作业和存储环境所答应的结温区间。设定这样的温度规模是为了满意器件最短作业寿数的要求。假如确保器件作业在这个温度区间内，将极大地延伸其作业寿数。

EAS - 单脉冲雪崩击穿能量 

假如电压过冲值(一般由于漏电流和杂散电感形成)未超越击穿电压，则器件不会发作雪崩击穿，因而也就不需求散失雪崩击穿的才能。雪崩击穿能量标定了器件能够容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需求散失的能量。界定额定雪崩击穿能量的器件一般也会界定额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的含义。EAS标定了器件能够安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上发作的电压超越MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发作时，即使 MOSFET处于关断状况，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所贮存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET散失的能量相似。MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。一般情况是：某个器件率先发作雪崩击穿，随后一切的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

EAR - 重复雪崩能量 

重复雪崩能量已经成为“工业规范”，可是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何含义。散热(冷却)情况常常制约着重复雪崩能量。关于雪崩击穿所发作的能量高低也很难猜测。

额定EAR的真实含义在于标定了器件所能接受的反复雪崩击穿能量。该界说的前提条件是：不对频率做任何约束，从而器件不会过热，这关于任何或许发作雪崩击穿的器件都是实际的。在验证器件规划的过程中，最好能够测量处于作业状况的器件或许热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是关于或许发作雪崩击穿的器件。

IAR - 雪崩击穿电流 

关于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行约束。这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量标准的“精细阐述”；其提醒了器件真正的才能。

静态电特性 

V(BR)DSS：漏-源击穿电压(破坏电压) 

V(BR)DSS（有时候叫做VBDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流到达一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。

V(BR)DSS是正温度系数，温度低时V(BR)DSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。在-50℃, V(BR)DSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。

VGS(th)，VGS(off)：阈值电压 

VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开端有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测验的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有标准的。正常情况下，一切的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因而，VGS(th)的改变规模是规定好的。VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。

RDS(on)：导通电阻 

RDS(on)是指在特定的漏电流（一般为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。

IDSS：零栅压漏极电流 

IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间漏电流。已然漏电流跟着温度的添加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流形成的功耗能够用IDSS乘以漏源之间的电压计算，一般这部分功耗能够忽略不计。

IGSS - 栅源漏电流 

IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。

动态电特性 

Ciss：输入电容 

将漏源短接，用沟通信号测得的栅极和源极之间的电容便是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或许Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致必定值时器件才能够关断。因而驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

Coss：输出电容 

将栅源短接，用沟通信号测得的漏极和源极之间的电容便是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或许Coss = Cds +Cgd关于软开关的使用，Coss非常重要，由于它或许引起电路的谐振。

Crss：反向传输电容 

在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，关于开关的上升和下降时刻来说是其间一个重要的参数，他还影响这关断延时时刻。电容跟着漏源电压的添加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

Qgs,Qgd,和Qg：栅电荷 

栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，已然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的改变而改变，所以规划栅驱动电路时常常要考虑栅电荷的影响。

Qgs从0电荷开端到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分（也叫做“米勒”电荷），Qg是从0点到VGS等于一个特定的驱动电压的部分。

漏电流和漏源电压的改变对栅电荷值影响比较小，而且栅电荷不随温度的改变。测验条件是规定好的。栅电荷的曲线图体现在数据表中，包含固定漏电流和改变漏源电压情况下所对应的栅电荷改变曲线。在图中渠道电压VGS(pl)跟着电流的增大添加的比较小（跟着电流的下降也会下降）。渠道电压也正比于阈值电压，所以不同的阈值电压将会发作不同的渠道电压。导通延时时刻是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所阅历的时刻。

td(off)：关断延时时刻 

关断延时时刻是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所阅历的时刻。这显示电流传输到负载之前所阅历的延迟。

tr：上升时刻 

上升时刻是漏极电流从10%上升到90%所阅历的时刻。

tf：下降时刻 

下降时刻是漏极电流从90%下降到10%所阅历的时刻。

欢迎客户选择使用合芯半导体的MOS管。